ایران توانا

موفقيت محققان کشور در طراحي نانو ترانزيستوري با سرعت ۱۰۰ برابر نمونه هاي موجود

متخصصان کشورمان به کمک روش هاي شبيه سازي موفق شدند براي اولين بار در جهان نانو ترانزيستور جديدي ارائه کنند که سرعتي بيش از ۱۰۰برابر ترانزيستورهاي معمولي دارد.دکتر فرشيد رئيسي، سرپرست پروژه با بيان اين مطلب گفت: ايده اوليه ارائه اين نانو ترانزيستور براي اولين بار در جهان ارائه و در اروپا نيز پتنت شده است. اين عضو هيئت علمي دانشگاه خواجه نصيرالدين توسي هدف از شبيه سازي اين نانو ترانزيستور را بالا بردن سرعت نانو ترانزيستورها اعلام و خاطرنشان کرد: از اين نانو ترانزيستور مي توان در ساخت قطعات ديجيتالي و آنالوگ الکترونيکي بهره گرفت و در مدارهاي الکترونيکي وسايلي مانند لپ تاپ ها، رايانه هاي Pc ، تلفن هاي همراه، تلويزيون و ال سي دي استفاده کرد. اين متخصص الکترونيک اضافه کرد: نانو ترانزيستور شبيه سازي شده قادر است برخي از مشکلات ترانزيستورهاي موجود را برطرف کند و توانايي ايجاد جريان الکتريکي بيشتر تا ۱۰۰برابر جريان را دارد علاوه بر اين توان مصرفي آن به نسبت نانو ترانزيستورهاي موجود پايين تر است و حدود ۲۵تا۳۰درصد برق کمتري مصرف مي کند. دکتر رئيسي مواد تشکيل دهنده اين نانو ترانزيستور را مانند ساير ترانزيستورها سيليکون، اکسيد سيليکون و برخي فلزات نام برد و درباره نحوه ساخت آن گفت: اصولا ساخت همه قطعات الکترونيکي بايد در محيط تميزي به نام Clean room انجام شود و نبايد در اين محيط هيچ گونه گرد و غباري وجود داشته باشد زيرا ابعاد نانو ترانزيستورها از ابعاد گرد و غبار بسيار کوچک تر است.اغلب مواد شيميايي مصرفي نيز در خلا روي هم گذاشته مي شود و هيچ گونه ناخالصي نبايد وارد آن بشود.دکتر رئيسي با بيان اين که از نرم افزارهاي خاصي براي طراحي در ابعاد نانومتري استفاده مي شود اضافه کرد: تحقيقات براي شبيه سازي اين نانو ترانزيستور ۷۰نانومتري از ۴ سال پيش شروع شده است. در حال حاضر نمونه آزمايشگاهي اين نانو ترانزيستور پرسرعت ساخته شده و براي توليد تجاري مورد حمايت يک مرکز قرار گرفته است تا پس از ساخت وارد بازار شود.بخشي از نتايج اين پژوهش در ژورنال lElCE Electronics Expressمنتشر شده است.